近日，原子能院核安全研究所項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)針對(duì)強(qiáng)輻射場(chǎng)環(huán)境智能裝備應(yīng)用，成功研制出國(guó)內(nèi)首款MGy(兆戈瑞)級(jí)抗輻射三線譯碼器芯片，是宇航級(jí)芯片抗輻射總劑量1kGy的1000倍，達(dá)到了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平，滿足了強(qiáng)輻射場(chǎng)環(huán)境工作的智能裝備對(duì)該功能芯片的抗輻射加固需求，同時(shí)也為其他功能芯片的抗輻射加固奠定了研究基礎(chǔ)，提高了核工業(yè)智能裝備和系統(tǒng)在強(qiáng)輻射環(huán)境下的可靠性和安全性。

抗輻射三線譯碼器芯片可滿足地面核設(shè)施強(qiáng)輻射場(chǎng)景對(duì)自動(dòng)控制、傳感器、智能裝備和信息化系統(tǒng)的耐輻射需求。研制期間，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)選用180nm CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)商業(yè)標(biāo)準(zhǔn)工藝，通過晶體管級(jí)抗輻射加固研究，突破了MGy級(jí)抗總劑量輻射的數(shù)字芯片加固技術(shù)。針對(duì)顯示控制、內(nèi)存解碼、電氣自動(dòng)化等應(yīng)用需求，完成了三線譯碼橋接芯片設(shè)計(jì)、版圖加固、流片、封裝和測(cè)試的全流程技術(shù)開發(fā)，總劑量輻照測(cè)試表明其抗總劑量輻射性能達(dá)到1.17MGy。芯片在耐輻照性能測(cè)試環(huán)節(jié)采用了更科學(xué)可靠的在線測(cè)試方法，不僅在測(cè)試中始終處于工作狀態(tài)，在經(jīng)受1.17 MGy的在線總劑量輻照后，仍可以正常工作。

抗輻射三線譯碼器芯片

該項(xiàng)目隸屬原子能院長(zhǎng)期基礎(chǔ)研究專項(xiàng)。面對(duì)抗輻射加固需求，項(xiàng)目團(tuán)隊(duì)未來(lái)將努力開發(fā)更多MGy級(jí)抗輻射總劑量的數(shù)字和模擬芯片，為“智慧核工業(yè)”的進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)貢獻(xiàn)力量。