9月7日，中科院高能所所長王貽芳、研究員王建春等一行7人到微電子研究所參觀交流，并討論未來的科研合作。

微電子所書記戴博偉對王貽芳一行表示歡迎，并介紹了微電子所基本情況、發展歷程、科研布局。微電子所李萍處長、羅軍研究員、王啟東研究員、賈銳研究員、李博研究員、許高博研究員等介紹了高能所與微電子所雙方在多個大科學裝置項目上的合作成果。

高能所梁志均青年特聘研究員報告了高能所與微電子所合作研發國產低增益雪崩硅傳感器(LGAD)的進展與在大型強子對撞機上高時間分辨探測器上的應用前景。另外，他還介紹了未來CEPC上像素探測器上研發需求與合作意向等。

在研討會中，王貽芳回顧了發展國產硅探測器的歷程，充分肯定了高能所與微電子所在研制同步輻射成像硅像素探測器與LGAD高時間分辨傳感器上卓有成效的合作。

在未來兩所科研合作方面，王貽芳提出使用國產先進半導體工藝(65納米或以下)研發超高精度的像素探測器，該研究在未來CEPC與高能光源上將有廣泛應用。另外，雙方也在高能紫外光刻機光源(EUV)、大面積微通道板探測器、數模轉換芯片上未來可能的合作領域進行了討論。

王貽芳講話

會議現場