半導體設備供應商應用材料(Applied Materials)因應晶片制造商致力微縮制程、增加電晶體密度，宣布推出7項創新技術，協助客戶運用極紫外光(EUV)持續進行2D微縮，并展示業界最完整的次世代3D環繞閘極(GAA)電晶體制造技術組合。

應材指出，晶片制造商正試圖透過2種可相互搭配的途徑來增加電晶體密度。一是依循傳統摩爾定律的2D微縮技術，使用EUV微影系統與材料工程以縮小線寬。二是使用設計技術最佳化(DTCO)與3D技術，藉由最佳化邏輯單元布局來增加密度，不需改變微影間距。

應材指出，第二種方法需使用晶背電源分配網路與環繞閘極(GAA)電晶體，隨著傳統2D微縮技術逐漸式微，未來預計能有效提升邏輯單元密度比率。這些方法能幫助晶片廠商改善次世代邏輯晶片的功率、效能、單位面積、成本與上市時間(PPACt)。

應材針對延展2D微縮推出專為EUV設計的Stensar先進圖案化薄膜，使用公司的Precision化學氣相沉積(CVD)系統。相較于旋轉式沉積技術，CVD薄膜能協助客戶調整EUV硬質光罩層的厚度并獲得蝕刻彈性，讓轉移至整個晶圓的EUV圖案達到近乎完美的均勻度。

應材也展示PROVision電子束(eBeam)量測技術，可穿透晶片的多層結構，準確量測整個晶圓的EUV圖案線寬，幫助客戶解決邊緣放置(edge placement)錯誤。應材指出，去年電子束系統營收成長達近一倍，已成為電子束技術最大供應商。

而應材針對3D GAA電晶體的閘極氧化層堆迭開發整合性材料解決方案(IMS)，將等效氧化厚度縮減1.5埃(angstrom)，使設計者能在不增加閘極漏電的情況下提高效能，或在保持效能不變的情況下將閘極漏電減少逾10倍。

應材亦展示用于GAA金屬閘極堆迭工程設計的IMS系統，使客戶能改變閘極厚度，以調整電晶體的閾值電壓，滿足從電池供電的行動裝置到高效能伺服器等特殊運算應用的每瓦效能目標，并可在高度真空中執行高精度的金屬ALD步驟，實現預防大氣污染的目標。

應材半導體資深副總裁暨產品事業群總經理若杰(Prabu Raja)表示，公司的策略是成為「PPACt推動公司」(PPACt enablement company)，因此今天發表的7項創新技術，目的就是協助客戶運用EUV以持續進行2D微縮。

若杰指出，應材詳細說明GAA架構與當今的鰭式場效(FinFET)架構電晶體有何不同，并備妥為GAA的制造提供業界最完整的產品組合，包括在磊晶、原子層沉積、選擇性去除材料的新步驟及2種新整合性材料解決方案(IMS)，以產生合適的GAA閘極氧化層與金屬閘極。