5月17日，中科院高能所高能同步輻射光源(HEPS)直線加速器調(diào)制器和電子槍脈沖電源順利通過出廠測試驗收，為下一步進(jìn)場安裝做好準(zhǔn)備。

為保證質(zhì)量，在當(dāng)前疫情防控要求下，出廠測試驗收以“現(xiàn)場測試、云驗收”方式完成。測試結(jié)果表明，調(diào)制器和電子槍脈沖電源各項技術(shù)指標(biāo)均滿足合同要求，達(dá)到HEPS設(shè)備出廠驗收標(biāo)準(zhǔn)。

調(diào)制器是功率源速調(diào)管的高壓脈沖電源，脈沖電源為電子槍束流提供初步加速能量，這兩類高壓脈沖電源的重復(fù)穩(wěn)定度決定直線加速器束流的穩(wěn)定性品質(zhì)。HEPS直線加速器調(diào)制器和電子槍脈沖電源采用了IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)固態(tài)調(diào)制器技術(shù)路線，很好地避免了電真空開關(guān)器件(重氫閘流管)引起的脈沖不穩(wěn)定性問題。

在高能所“一三五”規(guī)劃——“先進(jìn)加速物理與技術(shù)研究”目標(biāo)指引下，以及HEPS工程指揮部的全力協(xié)調(diào)和支持下，HEPS直線功率源系統(tǒng)和加速器中心直線組研究團(tuán)隊與國內(nèi)公司合作，歷時3年，克服了諸多技術(shù)瓶頸，掌握了固態(tài)調(diào)制器的多項核心技術(shù)，包括脈沖變壓器物理設(shè)計和制作工藝、IGBT開關(guān)極限條件應(yīng)用和保護(hù)技術(shù)、以及溫度控制等。

驗收專家及廠家代表合影

現(xiàn)場測試

調(diào)制器測試波形，經(jīng)現(xiàn)場測試，調(diào)制器波形具有小于1.8μs的上升沿和下降沿、好于1%的平頂度以及0.3‰的重復(fù)穩(wěn)定度